Divisores/Combinadores de Elementos Grupados de 12 Vias LPD-0.001/0.1-12N Imagem em Destaque

Divisores/Combinadores de potência de elemento concentrado LPD-0.001/0.1-12N de 12 vias

Tipo nº: LPD-0,001/0,1-12N Frequência: 1-100 MHz

Perda de inserção: 1,2 dB + 10,8 dB Equilíbrio de amplitude: ± 0,2 dB

Equilíbrio de fase: ±3 ROE: ≤1,4

Isolamento:≥25dB Conector:NF

Potência: 1W

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Detalhes do produto

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Introdução aos divisores de potência de elementos concentrados

Apresentamos nossa mais recente inovação na área de comunicações sem fio: o divisor de potência de 12 elementos concentrados da Chengdu Leader Microwave. Estamos comprometidos em fornecer soluções confiáveis e de alta qualidade, e temos orgulho de oferecer produtos que atendem às necessidades do mundo acelerado de hoje.

Nossos divisores de potência de elemento concentrado de 12 vias são projetados para distribuir energia de forma eficiente entre vários dispositivos, tornando-os ideais para uma variedade de aplicações, incluindo redes celulares, sistemas de comunicação via satélite e sistemas de radar. Este divisor possui 12 portas de saída para garantir conectividade perfeita e desempenho ideal para suas necessidades de comunicação.

Uma das principais características do nosso divisor de potência de elemento concentrado de 12 vias é sua tecnologia avançada. Esses divisores apresentam uma construção de elemento concentrado que proporciona baixa perda de inserção e excelente isolamento porta a porta, aprimorando assim o desempenho geral do sistema. Este design inovador também garante alta capacidade de processamento de potência, tornando-o ideal para aplicações de alta potência.

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Especificação

Tipo nº: LPD-0.001/0.1-12N Divisores/Combinadores de potência de elemento concentrado de 12 vias

Faixa de frequência:	1-100MHz
Perda de inserção:	Perda do divisor ≤1,2 dB+10,8 dB
Equilíbrio de amplitude:	≤±0,2dB
Equilíbrio de Fase:	≤±3 graus
ROE:	≤1,4: 1
Isolamento:	≥25dB
Impedância:	50 OHMS
Manuseio de energia:	1 Watt
Conectores de porta:	N-Feminino
Temperatura de operação:	-40℃ a +80℃

Observações:

1、Não inclui perda teórica de 10,79 dB 2. A classificação de potência é para carga vswr melhor que 1,20:1

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Especificações Ambientais

Temperatura operacional	-30ºC~+60ºC
Temperatura de armazenamento	-50ºC~+85ºC
Vibração	Resistência de 25gRMS (15 graus 2KHz), 1 hora por eixo
Umidade	100% UR a 35ºc, 95%UR a 40ºc
Choque	20G para meia onda senoidal de 11 ms, 3 eixos em ambas as direções